Neo Semiconductor lance 3D X

Le producteur de flash NAND 3D basé aux États-Unis, Neo Semiconductor, lance ses puces de mémoire X-DRAM 3D qui seraient les premières DRAM de type NAND 3D au monde avec des capacités considérablement accrues par rapport aux solutions DRAM 2D actuelles. La première itération de la technologie 3D X-DRAM peut atteindre une densité de 128 Go avec 230 couches par puce, soit 8 fois plus que les puces DRAM 2D actuelles. Neo Semiconductor pense que cette solution peut évoluer plus facilement et est moins coûteuse à mettre en œuvre par rapport aux autres alternatives de DRAM 3D, ce qui en fait un candidat solide pour remplacer la DRAM 2D dans un avenir proche.

L'avantage de la technologie 3D X-DRAM réside dans l'utilisation de la conception innovante de la cellule à corps flottant (FBC) qui stocke les données sous forme de charges électriques à l'aide d'un transistor et de zéro condensateur. Contrairement à d'autres alternatives de DRAM 3D qui tentent de proposer de nouvelles conceptions plus compliquées, la X-DRAM 3D exploite les processus NAND 3D matures d'aujourd'hui, ne nécessitant ainsi qu'un seul masque pour définir les trous de la ligne de bits et former la structure cellulaire à l'intérieur des trous. Cette approche peut grandement simplifier la production, la mise en œuvre et la transition depuis la DRAM 2D.

Neo Semiconductor a déjà publié toutes les demandes de brevet pertinentes auprès de l'USPAP le 6 avril de cette année. La société est déterminée à faire pression sur l'industrie pour la X-DRAM 3D en tant que solution nécessaire pour la demande croissante de mémoire haute performance et haute capacité provoquée par les progrès rapides de l'IA. Selon les estimations de Neo Semiconductor, la capacité de mémoire pourrait être doublée à 256 Go d'ici 2025, tandis que des capacités de 1 To pourraient être proposées dans une décennie. De plus amples informations seront publiées lors du Flash Memory Summit du 9 août 2023.

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Néo semi-conducteur

via DigiTimes

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